英飞凌推出75mΩ工业级CoolSiC™650VG2系列MOSFET

    全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌宣布扩展其CoolSiC™650VG2系列MOSFET产品组合，新增75mΩ规格型号，以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装选择，包括TOLL、ThinTOLL8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及TO247-4。得益于此，MOSFET裸片该产品组合可同时支持顶部冷却（TSC）与底部冷却（BSC）两种散热方案，为研发人员的设计提供了高度灵活性。此类器件非常适用于中高功率等级的开关模式电源（SMPS），可广泛应用于多个领域，包括AI服务器、可再生能源系统、电动汽车及电动汽车充电桩、人形机器人充电、电视机以及各类驱动系统。
    CoolSiC™650VG2系列MOSFET是基于第二代（G2）CoolSiC技术打造的。相较于上一代产品，其品质因数更优、可靠性更高，且易用性显著提升。不同封装类型各具优势：TOLL与ThinTOLL8x8封装在印刷电路板（PCB）上具备出色的热循环稳定性，有助于实现紧凑的系统设计。应用于SMPS时，这类封装可减少PCB的空间占用，并在系统层面降低制造成本。目前，TOLL与ThinTOLL8x8封装的目标应用范围已进一步扩大，能帮助PCB设计人员应对成本降低的挑战。TOLT封装的加入进一步强化了英飞凌不断壮大的TSC产品组合——该组合目前已涵盖CoolMOS™8、CoolSiC™、CoolGaN™及Optimos™系列产品。采用TSC设计的器件其直接散热效率可实现高达95%，且允许设计人员充分利用PCB的正反两面，既能提升了空间利用率，又能减少寄生效应。
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