RIC70847集成了一款抗辐射的17.1V降压控制器和一个5V（输出）半桥栅极驱动器，适用于输入电压4.75V至15V、输出电压0.6V至5.25V的应用场景。该产品可与逻辑电平晶体管无缝配合使用，例如英飞凌的抗辐射R8功率FET，并符合军用标准温度范围（-55°C至125°C）及应用的严格要求，即总电离剂量（TID）最高额定值达到100krad(Si)，单粒子效应（SEE）线性能量转移（LET）最高值达到81.9MeV·cm²/mg。
英飞凌科技高级副总裁兼电源与传感系统事业部HiRel产品线总经理ChrisOpoczynski表示：“英飞凌持续突破电源管理技术的边界，为航天系统设计人员提供创新的抗辐射器件。这些器件既能满足极其严苛的性能规格要求，又能减少零件数量，并提升整体可靠性。我们新推出的抗辐射降压控制器等高度集成的电源管理器件，体现了英飞凌HiRel致力于帮助企业在快速发展的商业航天领域打造出符合严苛性能与成本要求的系统。”
这款新产品采用的前沿技术包括负载线调节和固定频率峰值电流模式控制，可提供卓越的瞬态响应，并减少所需的输出电容数量。高降压比结合集成式5V半桥栅极驱动器，不仅简化了设计流程，减少了器件数量，而且实现了更加紧凑、高效的电源管理设计。此外，其高集成度还能提升系统可靠性，降低元件故障风险，最终为关键应用场景提供更加稳定、可靠的解决方案。
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