英飞凌扩展750VCoolSiC™产品组合，推出顶部散热型H-DPAK半桥器件

    汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进，对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出顶部散热封装系列新产品H-DPAK，搭载采用750VCoolSiC™G2技术的集成半桥（HB）器件。750VCoolSiC™G2可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量。H-DPAK将完整的单向半桥功率级集成在单一封装内，cyusb3014采用优化漏极焊盘的分列式引线框架设计既增强了热扩散能力，又能确保在高密度大功率电路板布局中满足电气间隙要求；同时其高度沿用英飞凌成熟的Q-DPAK和TOLT产品使用的行业标准2.3mm，可实现电路板级的无缝集成。该方案支持液冷、具备可扩展性、可直接贴装兼容，能够通过降低寄生环路电感实现更纯净的快速开关动作，同时减小无源元件尺寸。另一方面，该方案保留了CoolSiC™技术久经考验的性能——包括出色的RDS(on)xQOSS、业界领先的RDS(on)xQfr，以及在雪崩、过载、短路工况下的卓越的稳定性。
    H-DPAK半桥被设计为一款核心开关单元，可适配各类功率转换拓扑。其集成架构可帮助那些将空间利用率和总体拥有成本列为优先项的应用，实现更紧凑的设计。与分立式板级解决方案相比，H-DPAK支持更高的开关频率，动态性能获得显著提升，可支撑更紧凑的磁件设计，实现更高的整体系统效率。其目标应用覆盖工业与汽车电源系统全领域：
    新一代HVDCAI电源单元（5LANPC）
    HVDC电池和电容备用单元
    固态变压器
    户用太阳能和储能
    人形机器人充电
    双级和单级车载充电器（OBC）
    DC-DC转换器
    电动汽车（xEV）辅助设备
    750VCoolSiC™G2系列具有低Qg特性，可降低栅极驱动损耗；具备高dv/dt能力，支持高频运行；并拥有宽栅极偏压容限，可提供更大的设计裕量，且与现有栅极驱动架构兼容，非常适合对稳定性和开关效率要求极高的工业及汽车大功率应用。
    H-DPAK扩展了英飞凌的顶部散热产品家族，支持原生液冷设计，可适配当下要求最严苛且发展迅速的应用。
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