750VCoolSiC™BDS具备业界领先的RDS(on)×Qfr、优异的RDS(on)×QOSS，以及低Qg值，可有效降低开关损耗与导通损耗，实现超高速、高效的开关动作。在25℃条件下，典型栅阈值电压VGS(th)为4.5V，搭配超低QGD/QGS比值，可增强寄生导通抗扰性；扩展后的栅极偏压容限可支持-11V至25V瞬态电压，能够提升设计裕量并增强兼容性。该产品额定dv/dt可达200V/ns，可在不影响耐用性的前提下支持高频设计。该产品系列阻值覆盖范围为14mΩ至66mΩ。
该产品专为高要求的电源系统而设计，提供840V(BR)DSS，为超过500V的母线电压时提供充足的裕量。此外，它还具有经验证的雪崩耐受性、100小时内高达200°C的过载耐受能力和2µs的短路耐受时间。这些器件能够有效保护系统，免受实际环境中电压浪涌、能量脉冲、瞬态应力以及浪涌电流的影响，确保系统能够长期稳定运行，并具备容错能力。
750VCoolSiC™BDS扩展了英飞凌顶部散热产品家族，可适配当下要求最严苛、发展迅速的应用场景，支持原生液冷设计，通过拓扑层面的设计迭代，实现了全新的能效水平。
在汽车应用中，该产品非常适用于车载充电器（OBC）、电动汽车充电以及eFuse（电子保险丝）和预充电电路。与CoolSiC™H-DPAK半桥器件配合使用，可帮助设计平顺过渡到基于SiC技术的单级车载充电器，让设计不仅兼具高功率密度和高成本效益，而且节省空间。
在工业应用领域，它为快速迭代的各类应用场景带来了革新：
配备原生液冷的HVDCAI电源
户用太阳能与储能系统
医院及现场数据中心的HVAC系统
适用于电动垂直起降飞行器（eVTOL）的电流源逆变器（CSI）驱动
电力及IT机架中的HVDC保护
人形机器人集群快速充电
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