SanDisk与东芝将推出32纳米NAND闪存

在不断寻求nand闪存领域的领先技术，sandisk公司透露该公司将在2009年推出32纳米的产品。而sandisk的合作伙伴，东芝(toshiba)公司也据称将要在2009年下半年发布纳米的nana芯片。其他公司或许也会推出的nand产品，但真正的问题在于，是否或者何时整个行业会复苏。 就目前来看，sandisk和东芝都已经加大了43纳米器件的投入。最新的43纳米产品都采用了每单元4比特(x4)的技术。在产业策略研讨会(iss)上的发言中，sandisk公司的总裁兼首席运营官sanjaymehrotra表示，从2009年年中，sandisk将出货32纳米的器件，主要采用每单元2比特(x2)和每单元3比特(x3)技术。 随后，sandisk和东芝宣布将采取更为领先的技术。相比之下，英特尔-美光两家公司近日推出了34纳米的nand产品。市场的领先者三星电子公司(samsungelectronicsco.ltd.)一直提供42纳米的器件。 不过市场是否对nand真的有需求？一段时间，nand一度因为产能过剩，陷入衰退困境。mehrotra表示，“2008年是一个非常有挑战的一年，不过2009年还会延续这种状态。”他表示，为了解决这一问题，厂商必须“管理好符合预期需求的供货问题。” sandisk和东芝都已采取了措施。东芝近日宣布了一项针对其日本四日市(yokkaichi)工厂nand闪存生产的调整，该项调整减少了产能近30%，并将于2009年1月开始生效。sandisk和东芝公司在日本曾合资成立一家从事nand闪存生产的合资工厂。 他表示，除非有意向之外的事情发生，市场还是有几个潜在的增长点，如nand、附加卡、固态硬盘(ssd)等。
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